скорость роста кристалла

См. также в других словарях:

• ПРОСТАЯ ФОРМА КРИСТАЛЛА — совокупность симметрично эквивалентных плоскостей (граней многогранника), к рые можно получить из одной с помощью операций симметрии, свойственных точечной группе симметрии кристалла. П. ф. к. могут иметь только 1, 2, 3, 4, 6, 8, 12, 16, 24 и 48… …   Физическая энциклопедия

• КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич …   Физическая энциклопедия

• Кристаллизация —         образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в …   Большая советская энциклопедия

• Концентрационное переохлаждение — Концентрационным переохлаждением (КП) называют явление, которое возникает при направленной кристаллизации расплава, содержащего примесь, и заключающееся в том, что в результате перераспределения примеси в расплаве перед фронтом кристаллизации… …   Википедия

• ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование и рост кристаллов в объеме р ра (расплава) или на пов сти электрода в результате протекания электрохим. р ции. Является фазовым переходомI рода. Имеет много общего с кристаллизацией из пара и р ра, но в отличие от этого процесса в… …   Химическая энциклопедия

• МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ — МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ, технологическая реализация процесса кристаллизации с целью получения монокристаллов и пленок различных веществ. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов,… …   Энциклопедический словарь

• Метод Чохральского — Схема метода Чохральского Метод Чохральского  метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма распла …   Википедия

• ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

• ДЕФЕКТЫ — в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р ра, а также под… …   Химическая энциклопедия

• ДИСЛОКАЦИИ — (от позднелат. dislocatio смещение), дефекты кристалла, представляющие собой линии, вдоль и вблизи к рых нарушено характерное для кристалла правильное расположение ат. плоскостей. Механические свойства кристаллов прочность и пластичность в… …   Физическая энциклопедия

• НИТЕВИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ — ( усы , виcкерсы), монокристаллы в виде игл или волокон. Размеры Н. к. в одном направлении во много раз больше, чем в остальных: типичная длина от 0,5 мм до неск. мм, диаметр 0,5 50 мкм. Форма поперечного сечения Н, к. зависит от типа кристаллич …   Химическая энциклопедия